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J-GLOBAL ID：200903089862546187
イオン拡散による光学素子の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大野 精市
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992085275
Publication number (International publication number)：1993286740
Application date： Apr. 07, 1992
Publication date： Nov. 02, 1993
Summary：
【要約】【目的】 イオン拡散でガラス基板中に光学素子を形成する場合に、基板両面での応力歪差に基づく反り変形発生を防止する方法を提供する。【構成】 ガラス基板1の片面側をイオン透過防止用マスク膜で被覆する際、光学素子形成領域外に非マスキング領域を残しておく。ガラス基板1の一方の面では、マスク膜の開口部分のイオン拡散でレンズ2が形成されるが、この部分のイオン拡散量は小さい。一方、非マスキング領域ではレンズ2の部分に比べて充分大な幅で一様深さのイオン拡散層12が形成され、この領域では裏面全面のイオン拡散層13と等量である。よって、この領域で基板両面での応力歪が均衡し、非マスキング領域を設けない場合の該領域での両面不均衡に起因する反り変形が改善される。
Claim (excerpt)：
ガラス基板の表面を所定の光学素子パターンで開口を設けたマスク膜により被覆してイオン拡散処理を行う光学素子の製造方法において、前記基板面のうち光学素子形成領域外の周辺部に非マスキング領域を設け、一方、光学素子形成面と対向する裏面側はマスク膜を施さずにガラス表面を露出させたままとし、該ガラス基板の両面側から同時にイオン拡散処理を行うことを特徴とするイオン拡散による光学素子の製造方法。
IPC (3)：
C03C 21/00
, G02B 3/00
, G02B 6/12
