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J-GLOBAL ID：200903089865923208

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 長井 浩之
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 梶原 辰也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994277013
Publication number (International publication number)：1996115928
Application date： Oct. 17, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体ペレットの熱応力によるクラックの発生を防止する。【構成】 半導体ペレット1の下面に応力緩衝層8、バリアメタル層9および接合メタル層10が順次形成されている。応力緩衝層8は弾性係数が小さく、熱伝導性の良い金属例えばAuやAgからなる。バリアメタル層9は応力緩衝層8の金属の拡散を防ぎ、例えばNiやTiからなる。ペレット1は銅系材料からなるリードフレームにおけるタブ11上にボンディングされている。タブ11の表面にはAuめっきが施されている。【効果】 ペレット1とタブ11との熱膨張係数差によってペレットに発生する熱応力は応力緩衝層8によって低減されるため、ペレット1にクラックが発生するのが防止される。

Claim (excerpt)：

電子回路が作り込まれている半導体ペレットがペレット取付部にボンディングされている半導体装置において、前記半導体ペレットに発生する熱応力を吸収できる金属で形成された応力緩衝層と、この応力緩衝層を形成する金属の拡散を防ぐバリアメタル層とが、前記半導体ペレットとペレット取付部との間に介装されていることを特徴とする半導体装置。