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J-GLOBAL ID：200903089870042023

アスペクト比の高い開口に於ける導体の形成方法

Inventor： ペイ-イン・ポール・リィ ,  トーマス・ジョン・リケイタ ,  トーマス・リィディ・マクデビッド ,  ポール・クリスチャン・パリス ,  スコット・ルイス・ペニングトン ,  ジェームス・ガードナー・ライアン ,  デビッド・クライグ・ストライプ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 頓宮 孝一 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992088645
Publication number (International publication number)：1993299375
Application date： Apr. 09, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】高導電率、低不純物濃度、高ゲッタリング性、および均等な表面形状を特徴とする障壁層物質を、これらの特徴を大きく損なうような反応生成物を生じさせずにアスペクト比の高い開口内に形成すること。【構成】スパッタリング装置のターゲットと基板の間に開口50のアスペクト比を近似したアスペクト比を持つコリメータ60が設置される。コリメータ60は、絶縁体上面の物質量に比較して、開口50下部に成膜した物質の量を増やす。開口50下部に形成される層の厚みは、従来のスパッタリング方法によって得られ厚みの少なくとも2倍である。

Claim (excerpt)：

表面に少なくとも1つの凹部を持ち、該凹部のアスペクト比が少なくとも1:1である基板上に導電物質層を形成する方法において、アスペクト比が約1:1以上であるコリメータに上記導電物質の原子を通過させて、上記基板上に上記導電層を形成することを特徴とする導電物質層の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/285 ,  C23C 14/46 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 301

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-007855
  
• 特開平2-244622
  
• 特開平2-143521
  
• 特開昭62-076694