半導体装置の電極形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997100038
Publication number (International publication number)：1998294296
Application date： Apr. 17, 1997
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体装置において、無電解ニッケルめっき工程で生じる酸化物により、めっきが不均一となる。【解決手段】触媒処理液中の溶存酸素量を0.2ppm以下にした無電解ニッケルめっきによる電極形成方法を用いる。【効果】触媒処理液中の溶存酸素量を0.2ppm以下にした無電解ニッケルめっきによる電極形成方法を用いることにより、均一で接着強度の強い緻密なニッケル電極を形成できる。

Claim (excerpt)：

第1の無電解ニッケルめっきの前処理として、露出した半導体表面を清浄化させた後、触媒水溶液に浸漬し触媒化処理する工程において、触媒水溶液中の水に低溶存酸素の純水を用いることを特徴とする半導体装置の電極形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/288 , C23C 18/18 , C23C 18/36

FI (3)：

H01L 21/288 N , C23C 18/18 , C23C 18/36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭61-271829
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-053614 Applicant：株式会社東芝
特開平4-234126

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