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J-GLOBAL ID:200903089875212032

熱電変換モジユール

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鵜沼 辰之
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991179966
Publication number (International publication number):1993029667
Application date: Jul. 19, 1991
Publication date: Feb. 05, 1993
Summary:
【要約】【目的】 熱電素子と基板との接合部に生じる応力を緩和し、熱電素子の充填密度を向上させる。【構成】 熱電変換モジュールは高温側および低温側の両方に基板を有する。基板21にはP型素子1およびN型素子2が電極11を介して接続されており、分割した基板22のそれぞれには、P型素子1あるいはN型素子2の一方のみが電極12を介して並列に接続されている。1つの熱電変換モジュール内の極性の等しい素子の熱膨張率は等しいため、基板21と基板22の距離は、加熱により伸縮はするが、全ての素子の伸びは等しいため、基板21とP型素子1およびN型素子2の接合部、基板22とP型素子1およびN型素子2 の接合部には熱膨張率差による熱応力は発生しない。
Claim (excerpt):
複数のP型素子及びN型素子を有する熱電素子と、複数の一方の前記N型素子と前記P型素子を接続する電極を形成した第1の基板と、複数の他方の前記P型素子同士を接続する電極を形成した第2の基板と、複数の他方の前記N型素子同士を接続する電極を形成した第3の基板とを有することを特徴とする熱電変換モジュール。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開昭63-253677
  • 特公昭45-008715
  • 特公昭40-019222

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