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J-GLOBAL ID：200903089876128450

光起電力素子

Inventor： 能口 繁 ,  岩多 浩志 ,  佐野 景一
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991260746
Publication number (International publication number)：1993102504
Application date： Oct. 08, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 BSF(back surface field)構造を採用した場合に生ずる結晶系半導体と非晶質半導体との半導体接合部の界面準位を低減することにより、光生成キャリアの再結合を抑制し多くのキャリアを外部に取り出すことにある。【構成】 BSF構造となる導電性単結晶半導体(3)と、この単結晶半導体(3)と同じ導電型の非晶質半導体(5)との間に真性非晶質半導体(4)を介在せしめたことにある。

Claim (excerpt)：

互いに逆導電型の関係を有する非晶質半導体と、単結晶半導体若しくは多結晶半導体(以下、これらを結晶系半導体と称する。)とから成る光入射側に配置された第1の半導体接合と、前記結晶系半導体と、該結晶系半導体と同じ導電型の関係を有する非晶質半導体とから成る光透過側に配置された第2の半導体接合とを具備するとともに、前記第2の半導体接合の前記非晶質半導体と前記結晶系半導体との間に水素を含有する真性非晶質半導体を介在せしめたことを特徴とする光起電力素子。