半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994280109
Publication number (International publication number)：1996148675
Application date： Nov. 15, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】IGBTの短絡耐量を向上させる過電流保護回路で使用されるMOSFETとショットキーダイオードをワンチップ化し、IGBTモジュールの小型化、低コスト化を図る。【構成】縦形MOSFETで比抵抗が0.1ないし10Ω-cmのn- 層1とAl膜9からなるドレイン電極7とをショットキー接合18とする。

Claim (excerpt)：

第一導電形半導体基板の一主面に第二導電形領域が選択的に形成され、第二導電形領域の表面層に第一導電形高濃度領域が選択的に形成され、第一導電形半導体基板と第一導電形高濃度領域とに挟まれた第二導電形領域の表面にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、さらにゲート電極上が絶縁膜で被覆され、ソース電極が該絶縁膜上、第一導電形高濃度領域上および第二導電形領域上に形成され、ドレイン電極が第一導電形半導体基板の他主面に形成される縦形MOSFETにおいて、ドレイン電極と第一導電形半導体基板とでショットキー接合を形成することを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-065961 Applicant：富士電機株式会社
特開平3-155677
特開昭54-091053

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