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J-GLOBAL ID：200903089886788513
X線マスクの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993132244
Publication number (International publication number)：1994349716
Application date： Jun. 03, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 X線露光用マスク製造方法に関し、応力低減のためにイオン注入したX線吸収体膜の変質を防いで良好なマスクパターンを得ることを目的とする。【構成】 基板1上にX線透過膜2とX線吸収体膜3を順次形成した後、X線吸収体膜3の表層にアルゴンのイオン6を注入してX線吸収体膜3の内部応力を制御し、引続き、このX線吸収体膜3を大気に曝すことなくX線吸収体膜3上にX線吸収体膜3と同一材料の被膜4Aを形成する。その後、被膜4AとX線吸収体膜3とを同時に選択的にエッチングしてマスクパターンを形成する。
Claim (excerpt)：
基板(1) 上にX線透過膜(2) を形成する工程と、該X線透過膜(2) 上にX線吸収体膜(3) を形成する工程と、該X線吸収体膜(3) 上に酸化珪素若しくは窒化珪素からなる被膜(4) を形成する工程と、該被膜(4) を介して該X線吸収体膜(3) に不活性ガスのイオン(6) を注入して該X線吸収体膜(3) の内部応力を制御する工程と、その後、該X線吸収体膜(3) を選択的にエッチングしてマスクパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするX線マスクの製造方法。
IPC (2)：
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