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J-GLOBAL ID：200903089889644598

半導体装置の製造方法

Inventor： 田中 隆夫 ,  岩本 泰彦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992265694
Publication number (International publication number)：1994120215
Application date： Oct. 05, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】電解メッキ法を用いて金属配線を形成する半導体装置の製造方法において、メッキ膜厚の制御性の向上及び配線形成領域の深さの違いによるメッキ膜厚差を軽減する製造方法を提供する。【構成】半導体基板1上に配線領域を隔てる第2の絶縁膜8上に第3、第4の金属膜9、10を設ける。これにより、メッキ膜が第3の金属膜に接触するまでに達した時、メッキ電極となる金属の面積が広がり、メッキレートが低下する。従って、平均メッキレートを低下させずに膜厚の制御性を向上できる。また、深い開孔部ほど前記メッキレート低下までの時間が長くなるため、開孔部の深さの違いによって生ずるメッキの膜厚差を軽減することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、該第1絶縁膜に選択的に第1の開孔を形成する工程と、前記第1絶縁膜上及び第1の開孔内に第1、第2の金属膜を重ねて形成する工程と、該第2金属膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、該第2絶縁膜上に第3、第4の金属膜を重ねて形成する工程と、前記第3、第4金属膜及び第2絶縁膜に選択的に第2の開孔を設ける工程と、前記第2の開孔により露出した前記第2の金属膜上に選択的に金属配線を形成する工程と、前記第3、第4の金属膜と第2の絶縁膜と金属配線領域を除く部分の第1、第2の金属膜とを前記金属配線に整合して選択的に除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/288