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J-GLOBAL ID：200903089900212646

光電変換装置の製造方法

Inventor： 寒川 泰紀 ,  長原 達郎
Applicant, Patent owner： 東燃株式会社
Agent (1)： 久保田 耕平 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993243041
Publication number (International publication number)：1995106612
Application date： Sep. 29, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 テクスチャ溝を備えた単結晶Si基板とこの基板との間でpn接合を形成するSi系半導体層とが少なくとも点接合されている光電変換装置を従来より少ない工程で簡便に製造できる方法を提供すること。【構成】 テクスチャ溝を構成するエッチピット10が形成された単結晶Si基板1表面にスパッタリング法により酸化シリコン薄膜2を成膜し、かつHFのエッチング剤を用いて酸化シリコン薄膜をエッチング処理し、エッチピットの傾斜面に成膜された酸化シリコン薄膜21に較べてその膜特性が悪い頂部と谷部に成膜された酸化シリコン薄膜22を選択的に溶解除去し酸化シリコン膜を上記基板上に点在させる。そして、酸化シリコン膜が点在された上記基板上に非晶質Si層(Si系半導体層)3を成膜して、基板とこのSi系半導体層が点接合された成膜型太陽電池(光電変換装置)を製造する方法。

Claim (excerpt)：

テクスチャ溝を有するn型又はp型の単結晶シリコン基板と、この単結晶シリコン基板の光入射面側に設けられ単結晶シリコン基板との間でpn接合を形成するp型又はn型のシリコン系半導体層と、このシリコン系半導体層と上記単結晶シリコン基板との間に設けられシリコン系半導体層と単結晶シリコン基板の点接合を形成する絶縁層とを備える光電変換装置の製造方法において、上記テクスチャ溝を構成するエッチピットが形成されたn型又はp型単結晶シリコン基板の表面に低温成膜法により絶縁性薄膜を一様に形成し、かつ、この絶縁性薄膜に対するエッチング剤を用いて絶縁性薄膜をエッチング処理し、上記エッチピットの傾斜面に形成された絶縁性薄膜を部分的に残しながらエッチピットの頂部と谷部に形成された絶縁性薄膜を除去した後、絶縁性薄膜が点在するn型又はp型単結晶シリコン基板の表面にp型又はn型のシリコン系半導体層を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。