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J-GLOBAL ID：200903089905494631

ドライエッチング方法

Inventor： 北村 修 ,  後藤 隆 ,  寺門 伸悟
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992207578
Publication number (International publication number)：1993326466
Application date： Jul. 10, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、気相中の活性種により等方的に反応が進行するSi基板のエッチングにおいて、光の非照射領域ではエッチング反応を抑制し、光照射領域では促進し、選択比の向上をサブミクロン以下の超微細レベルの加工において図ろうというものである。【構成】 反応の励起源として真空紫外線ないし軟X線領域の波長の光(8)を用いるSi基板(3)の光照射領域の選択的なドライエッチング方法であって、プラズマ発生源(6)を経由し、プラズマ化して反応室(1)に導入されるフッ素系ガスを含むガス及びプラズマ発生源(6)を第1のガスと同時に経由せずに反応室(1)に導入される酸素を含むガスを用いること、サブミクロン以下の超微細パターンのマスク(9)を用いることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

シリコン基板のドライエッチングにおける反応の励起源としての光と、反応室に導入されるフッ素系ガスを含むガス(以下、第1のガスという)及び酸素を含むガス(以下、第2のガスという)を用いて、該シリコン基板の該光の照射領域を選択的にエッチングするドライエッチング方法であって、前記光として真空紫外線ないし軟X線領域の波長の光を使用すること、前記第1のガスは、プラズマ発生源を経由し、プラズマ化して前記反応室に導入されること、前記第2のガスは、前記プラズマ発生源を前記第1のガスと同時に経由せずに前記反応室に導入されること、を特徴とするドライエッチング方法。