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J-GLOBAL ID：200903089906587404
薄膜ダイヤモンドの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992288453
Publication number (International publication number)：1994135798
Application date： Oct. 27, 1992
Publication date： May. 17, 1994
Summary：
【要約】【目的】 基板表面に簡単な前処理を施すことによって核発生密度を高めて緻密な薄膜ダイヤモンドを形成する。【構成】 p型(Bドープ,10〜15Ωcm)シリコン(100)面片面光学研磨基板1に対して、電解液として47%フッ化水素と水の体積費1:1の混合液を用い、シリコン基板1の裏面にアルミ電極を形成する一方対向電極として白金を用いて陽極化成処理を実施する。その結果、シリコン基板の結晶性を損なわずに多孔質シリコン層2を形成でき、この多孔質層付きシリコン基板に格子歪みを制御性良く導入できる。こうして、簡単な前処理によって大きな格子歪みを形成することによってダイヤモンド粒子による傷付け前処理を施した場合と同程度の核発生密度を得ることができ、気相法によって薄膜ダイヤモンドを合成すれば緻密な多結晶薄膜ダイヤモンドを形成できる。
Claim (excerpt)：
フッ酸を含む電解液中での陽極化成処理を実施して基板表面に多孔質層を形成することによって格子歪みを導入した後、該基板上に薄膜ダイヤモンドを気相合成することを特徴とする薄膜ダイヤモンドの製造方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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