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J-GLOBAL ID：200903089911209744
半導体レーザ装置およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992276932
Publication number (International publication number)：1994132602
Application date： Oct. 15, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：
【要約】【目的】 光ディスク等の光源として用いる低雑音の半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。【構成】 半導体レーザチップの前端面を、少なくとも発光部3を除いてエッチングにより結晶表面6を荒した構成による。この構成により外部の光学部品からの戻り光によって発生するノイズを抑制できる。
Claim (excerpt)：
半導体レーザチップの前端面の、少なくとも発光部を除いた結晶表面に凹凸が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
Patent cited by the Patent：
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