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J-GLOBAL ID：200903089916438938
化合物半導体ウェハの両面ラッピング方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993335347
Publication number (International publication number)：1995201789
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：
【要約】【目的】両面ラッピング方法に片面ラッピングの技法をとり入れることによって、そりの小さい量産に適した両面ラッピング法を得る。【構成】相対運動がゼロであれば、研磨材に転がりはなく、ラッピングが生じない。そのために、まず、上定盤1の回転方向とキャリア4の公転方向とを異ならせて、上定盤1側にあるウェハ3の片面のみをラッピングする。この間、下定盤2はキャリア4の公転数と同じ回転数かつ同じ方向として、下定盤2側にあるウェハ3の反対面をラッピングしないようにする。ウェハ3の片面をラッピングした後、今度はその関係を逆にして、下定盤2の回転方向とキャリア4の公転方向とを異ならせて、下定盤2側にあるウェハ3の反対面のみをラッピングする。この間、上定盤1はキャリア4の公転数と同じ回転数かつ同じ方向として、既にラッピング済のウェハ片面をラッピングしないようにする。
Claim (excerpt)：
上下定盤の間でウェハを相対運動させながらウェハ表面を加工する化合物半導体ウェハの両面ラッピング方法において、まず、一方の定盤とウェハ間に相対速度を形成し、他方の定盤との間では相対速度が形成されないようにしてウェハの片面のみをラッピングし、次に、他方の定盤とウェハ間に相対速度を形成し、一方の定盤とウェハ間では相対速度が形成されないようにしてウェハの反対面のみをラッピングするようにしたことを特徴とする化合物半導体ウェハの両面ラッピング方法。
IPC (2)：
H01L 21/304 321
, B24B 37/04
