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J-GLOBAL ID：200903089918474486

有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法

Inventor： 原 慎太郎 ,  岩永 秀明 ,  行徳 明 ,  小松 隆宏 ,  若松 千春
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996124206
Publication number (International publication number)：1997306665
Application date： May. 20, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 正孔注入電極及び電子注入電極と電極駆動用ICを接続するリード線でのオーム損の違いによる発光輝度のばらつきを防止することを目的としている。【解決手段】 基板1と、正孔注入電極2と、有機薄膜層3と、電子注入電極4と、正孔注入電極2及び電子注入電極4を駆動するための電極駆動用IC5と、正孔注入電極2及び電子注入電極4と電極駆動用IC5を接続するためのリード線6を備え、リード線6が正孔注入電極2と同一材料からなる下地層7と、下地層7上に形成された下地層7よりも導電率の高い導電層8を備えたことによって、発光輝度のばらつきを防止できる有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供することが可能となる。

Claim (excerpt)：

正孔注入電極が形成された基板と、前記基板上に形成された有機薄膜層と、前記有機薄膜層上に形成された電子注入電極と、前記正孔注入電極及び前記電子注入電極を駆動するための前記基板上に実装された電極駆動用ICと、前記正孔注入電極及び前記電子注入電極と前記電極駆動用ICを接続するための前記基板上に配設されたリード線を備えた有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子であって、前記リード線が正孔注入電極と同一材料からなる下地層と、前記下地層上に形成された前記下地層よりも導電率の高い導電層を備えたことを特徴とする有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子。

IPC (2)：

H05B 33/06 ,  H05B 33/26

FI (2)：

H05B 33/06 ,  H05B 33/26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-082197
  
• 特開平3-239226
  
• 特開平4-082197
  
• 特開平3-239226