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J-GLOBAL ID：200903089931092134

半導体装置

Inventor： 石原 範和
Applicant, Patent owner： 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993044264
Publication number (International publication number)：1994260560
Application date： Mar. 05, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：

【要約】【目的】半導体装置の外部からの電波・磁場の影響を防ぎ、半導体装置の誤動作を防ぐことを目的としている。【構成】半導体基板1を覆う絶縁膜3と、絶縁膜3上に形成された金属細線をボンディング法によりリード端子と接続するためのボンディングパッド2と、ボンディングパッド2の一部を除き半導体基板1を覆う前記絶縁膜3と、更にボンディングパッド2の周辺の一部を除き絶縁膜3を覆うように形成された導体4と、導体4の一部と半導体基板1を同じ接地電位に接続する接続部分5とを有して構成され、これにより、電波・磁場の影響を受けることがなくなり、半導体装置の誤動作を防ぐことができる。

Claim (excerpt)：

絶縁膜で覆われた半導体装置において、前期絶縁膜を覆う導体を有し、該導体は半導体基板と同じ接地電位で接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/06 ,  H01L 27/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭59-087837
  
• 特開昭60-164341
  
• 特開昭62-235799
  
• 特開平3-155653