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J-GLOBAL ID：200903089933717344

電気光学装置、電気光学装置用の駆動基板、及びこれらの製造方法

Inventor： 山中 英雄 ,  矢元 久良 ,  佐藤 勇一 ,  矢木 肇
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999017895
Publication number (International publication number)：2000214484
Application date： Jan. 27, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高い電子/正孔移動度の単結晶シリコン薄膜を比較的低温でかつ均一に成膜し、高性能ドライバ内蔵のアクティブマトリクス基板と、これを用いた表示用薄膜半導体装置等の電気光学装置とを製造する方法の提供が望まれている。【解決手段】 第1の基板1の一方の面上にゲート部を形成し、さらに単結晶半導体と格子整合の良い物質層50を形成し、この物質層50上に、半導体を含有した錫あるいは鉛あるいは錫と鉛との合金からなる低融点金属の溶融液層6を形成する。その後、この低融点金属の溶融液層6を冷却処理することによって物質層50をシードとして単結晶半導体層7を結晶成長させ、この単結晶半導体層7に所定の処理を施して周辺駆動回路部にボトムゲート型の第1の薄膜トランジスタを形成する。

Claim (excerpt)：

画素電極が配された表示部と、この表示部の周辺に配された周辺駆動回路部とを第1の基板上に有し、この第1の基板と第2の基板との間に所定の光学材料を介在させてなる電気光学装置において、前記第1の基板の一方の面上にゲート電極とゲート絶縁膜とからなるゲート部が形成され、前記第1の基板の前記一方の面上に、単結晶半導体と格子整合の良い物質層が形成され、この物質層を含む前記第1の基板上に、半導体を含有した錫あるいは鉛あるいは錫と鉛との合金からなる低融点金属の溶融液層が形成され、さらに該低融点金属の溶融液層が冷却処理されることにより前記物質層をシードとして前記半導体がヘテロエピタキシャル成長させられ、析出されてなる単結晶半導体層が形成され、この単結晶半導体層をチャンネル領域、ソース領域及びドレイン領域とし、前記チャンル領域の下部に前記ゲート部を有するボトムゲート型の第1の薄膜トランジスタが前記周辺駆動回路部の少なくとも一部を構成していることを特徴とする電気光学装置。

F-Term (29)：

2H092GA59 ,  2H092HA04 ,  2H092HA06 ,  2H092JA26 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JB58 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KB22 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092NA21 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  2H092PA02 ,  2H092PA06 ,  2H092PA08 ,  2H092PA09 ,  2H092PA13 ,  2H092QA07 ,  2H092QA08 ,  2H092QA10 ,  2H092QA11 ,  2H092QA13 ,  2H092QA14 ,  2H092QA15