Pat
J-GLOBAL ID:200903089937509789
化合物半導体層の結晶成長方法及び半導体素子
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
佐藤 勝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002008825
Publication number (International publication number):2003209062
Application date: Jan. 17, 2002
Publication date: Jul. 25, 2003
Summary:
【要約】【課題】結晶欠陥を有効に抑制して結晶性に優れた半導体発光素子を形成するのに好適な化合物半導体層の結晶成長方法を提供する。【解決手段】閃亜鉛鉱構造化合物半導体基板に(111)面、(111)面に対する傾斜が±10°以内の面、若しくはこれらと結晶学的に等価な面を選択成長基準面として形成し、選択成長により前記選択成長基準面からウルツ鉱構造の化合物半導体層を結晶成長させて(1-101)面、(1-101)面に対する傾斜が±10°以内の面、若しくはこれらと結晶学的に等価な面を形成させ、結晶性に優れた平坦な(1-101)面を基板上に形成する。
Claim (excerpt):
閃亜鉛鉱構造化合物半導体基板に(111)面、(111)面に対する傾斜が±10°以内の面、若しくはこれらと結晶学的に等価な面を選択成長基準面として形成し、選択成長により前記選択成長基準面からウルツ鉱構造の化合物半導体層を結晶成長させて(1-101)面、(1-101)面に対する傾斜が±10°以内の面、若しくはこれらと結晶学的に等価な面を形成させることを特徴とする化合物半導体層の結晶成長方法。
IPC (3):
H01L 21/205
, C30B 29/38
, H01S 5/343 610
FI (3):
H01L 21/205
, C30B 29/38 D
, H01S 5/343 610
F-Term (41):
4G077AA03
, 4G077BE15
, 4G077DB01
, 4G077DB08
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077HA02
, 5F045AA04
, 5F045AA05
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AC07
, 5F045AC12
, 5F045AF02
, 5F045AF04
, 5F045AF06
, 5F045AF13
, 5F045BB12
, 5F045CA12
, 5F045DA53
, 5F045DB02
, 5F045HA02
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA55
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073BA09
, 5F073CA02
, 5F073CA07
, 5F073CA17
, 5F073CB02
, 5F073CB04
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073DA16
, 5F073DA21
, 5F073DA32
, 5F073DA35
, 5F073EA28
, 5F073EA29
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
-
半導体レーザ素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-240413
Applicant:澤木宣彦, シャープ株式会社
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