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J-GLOBAL ID：200903089940298489

フィルムキャリア、フィルムキャリアデバイスおよびフィルムキャリアの製造方法

Inventor： 納 武士 ,  益子 泰昭 ,  四元 法生 ,  河村 裕和 ,  小澤 行弘
Applicant, Patent owner： 三井金属鉱業株式会社
Agent (1)： 伊東 辰雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993061444
Publication number (International publication number)：1994252219
Application date： Feb. 26, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高周波電流が流れてもノイズ(雑音)の発生がなく、高い接続信頼性を有するフィルムキャリア、フィルムキャリアデバイスおよびフィルムキャリアの製造方法を提供する。【構成】 2枚の金属箔の片面にそれぞれポリイミド樹脂を塗布した後、加熱硬化して得られた2枚の金属箔とポリイミドフィルムのポリイミドフィルム側をポリイミドワニスにて張り合わせ、その後、裏面の金属箔、ポリイミド樹脂およびポリイミドワニスを除去し、ビアホールを形成し、次いで裏面に金属層を形成し、ビアホールにて表面の金属箔と裏面の金属層を電気的に接続したフィルムキャリアにおいて、前記ビアホールが、その断面形状において、ビアホール周縁の金属箔と裏面の金属箔の各接点を結ぶ線とビアホールのポリイミドワニス部分の長さの交点からポリイミドワニスに至る長さが1μm以上であることを特徴とするフィルムキャリア。

Claim (excerpt)：

2枚の金属箔の片面にそれぞれポリイミド樹脂を塗布した後、加熱硬化して得られた2枚の金属箔とポリイミドフィルムのポリイミドフィルム側をポリイミドワニスにて張り合わせ、その後、裏面の金属箔、ポリイミド樹脂およびポリイミドワニスを除去し、ビアホールを形成し、次いで裏面に金属層を形成し、ビアホールにて表面の金属箔と裏面の金属層を電気的に接続したフィルムキャリアにおいて、前記ビアホールが、その断面形状において、ビアホール周縁の金属箔と裏面の金属箔の各接点を結ぶ線とビアホールのポリイミドワニス部分の長さの交点からポリイミドワニスに至る長さが1μm以上であることを特徴とするフィルムキャリア。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/90