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J-GLOBAL ID：200903089950005803

希土類薄膜磁石の製造方法

Inventor： 安達 信泰
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 名古屋工業大学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005272892
Publication number (International publication number)：2007088101
Application date： Sep. 20, 2005
Publication date： Apr. 05, 2007
Summary：

【目的】装置改良に技術的な工夫をほとんど必要としない希土類薄膜磁石の製造方法を提供することを目的とする。【構成】アモルファス薄膜状に作製した希土類化合物を熱処理で結晶化させる段階で磁界をかけながら熱処理(光照射または電気炉を用いたヒーター加熱)を行うことにより、結晶化させることを特徴とする希土類薄膜磁石の製造方法。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

アモルファス薄膜状に作製した希土類化合物を熱処理で結晶化させる段階で磁界をかけながら光照射を行うことにより、結晶化させることを特徴とする希土類薄膜磁石の製造方法。

IPC (1)：

H01F 41/14

FI (1)：

H01F41/14

F-Term (5)：

5E049AC01 ,  5E049BA01 ,  5E049EB01 ,  5E049GC01 ,  5E049HC01