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J-GLOBAL ID：200903089991668140

光応答機能を有する電界効果トランジスタ

Inventor： 小橋 昌浩 ,  佐野 桂一郎 ,  竹内 久雄 ,  浅見 晴洋
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 土井 健二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998059214
Publication number (International publication number)：1998321894
Application date： Mar. 11, 1998
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】MIS構造の電界効果トランジスタの基本機能と、光刺激でドレイン電流を可逆的に変化させることが可能な電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】光が透過可能な導電性物質により形成されるゲート電極と、該ゲート電極に接し、光が透過可能な誘電率の高い有機または無機物質の絶縁層と、該絶縁層に接し、光刺激により電気伝導度及び、キャリア移動度が可逆的に変化する有機物又は、無機物の半導体層を有する。ゲート電極と絶縁層を通して半導体層に照射される光により、半導体層内の絶縁層との界面付近のチャネルを流れる電流を制御することができる。

Claim (excerpt)：

金属一絶縁体層一半導体層からなる電界効果トランジスタにおいて、基板上に、光が透過可能な導電性物質によって形成されるゲート電極と、該ゲート電極に接し光が透過可能な絶縁層とを有し、更に、該絶縁層に接し、光刺激により可逆的に特性が変化する半導体層を有することを特徴とする光応答機能を有する電界効果トランジスタ。