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J-GLOBAL ID：200903089992296468

窒化ホウ素含有膜被覆基体とその製造方法

Inventor： 西山 哲 ,  江部 明憲 ,  鞍谷 直人 ,  緒方 潔
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993000360
Publication number (International publication number)：1994200362
Application date： Jan. 05, 1993
Publication date： Jul. 19, 1994
Summary：

【要約】【構成】 基体上に周期律表におけるVIa族元素を含有する膜が形成され、該膜上に窒化ホウ素含有膜が形成されている基体であって、前記窒化ホウ素含有膜の結晶構造が基体表面から膜の表面に移行するに従って、立方晶系閃亜鉛鉱型あるいは六方晶系ウルツ鉱型の結晶構造の少なくともいずれかを含むものから、前記結晶構造の少なくともいずれかと、六方晶系のグラファイトに類似した結晶構造との混成したものに順次変化している窒化ホウ素含有膜被覆基体。【効果】 低温下でc-BN,w-BN含有膜を形成でき、硬度が高く、化学的安定性、摺動性、潤滑性等に優れた窒化ホウ素含有膜を作製することができる。また、基体とVIa族元素を含有する膜、該膜と窒化ホウ素含有膜との密着性が向上しすることにより、高硬度で優れた摺動性を有する窒化ホウ素含有膜被覆基体を得ることができる。

Claim (excerpt)：

基体上に周期律表におけるVIa族元素を含有する膜が形成され、該膜上に窒化ホウ素含有膜が形成されている基体であって、前記窒化ホウ素含有膜の結晶構造が基体表面から膜の表面に移行するに従って、立方晶系閃亜鉛鉱型あるいは六方晶系ウルツ鉱型の結晶構造の少なくともいずれかを含むものから、前記結晶構造の少なくともいずれかと、六方晶系のグラファイトに類似した結晶構造との混成したものに順次変化していることを特徴とする窒化ホウ素含有膜被覆基体。

IPC (7)：

C23C 14/06 ,  C01B 21/064 ,  C23C 14/22 ,  C23C 14/24 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/48 ,  C23C 16/30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-164869
  
• 特開昭61-259408
  
• 特開昭62-082607