多層レジストプロセス用中間層材料組成物及びそれを用いたパターン形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛 , 栗宇百合子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002256737
Publication number (International publication number)：2004094029
Application date： Sep. 02, 2002
Publication date： Mar. 25, 2004
Summary：

【課題】有機溶剤に可溶であり、保存安定性に優れ、かつ上層レジストパターニング時に裾引き形状、パターン剥れ、ラインエッジラフネスに問題のない3層レジストプロセス用中間層材料組成物及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】ケイ素原子-酸素原子結合を有する特定構造を側鎖に有する繰り返し単位を含む重合体(A成分)を含有することを特徴とする多層レジストプロセス用中間層材料組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

一般式(A-I)で表わされる基を側鎖に有する繰り返し単位を含む重合体を含有することを特徴とする多層レジストプロセス用中間層材料組成物。

IPC (4)：

G03F7/11 , G03F7/075 , G03F7/26 , H01L21/027

FI (4)：

G03F7/11 502 , G03F7/075 521 , G03F7/26 511 , H01L21/30 573

F-Term (19)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025DA14 , 2H025FA41 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096CA20 , 2H096EA05 , 2H096HA23 , 5F046NA06 , 5F046NA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

絶縁膜の形成材料及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-083682 Applicant：富士通株式会社
パターン形成材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-117688 Applicant：松下電器産業株式会社
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-342380 Applicant：信越化学工業株式会社

Show all

Return to Previous Page