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J-GLOBAL ID：200903089997362205

磁気抵抗効果素子

Inventor： 猪俣 浩一郎 ,  橋本 進 ,  斉藤 好昭
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992243735
Publication number (International publication number)：1994097533
Application date： Sep. 11, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】磁気抵抗変化率が大きく、飽和磁界およびヒステリシスが小さい磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。【構成】膜面内で立方対称の磁気異方性を有するCo基またはNi基の磁性層3と、非磁性層2とが交互に積層された積層体4を基板1上に形成して磁気抵抗効果素子とする。

Claim (excerpt)：

膜面内で立方対称の磁気異方性を有するCo基またはNi基の磁性層と、非磁性層とが交互に積層された積層体を具備することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (2)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/06