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J-GLOBAL ID：200903089998686314

膜-電極接合体の製造方法

Inventor：
森川 博文

About 森川 博文

, 
希代 聖幸

About 希代 聖幸

, 
小嶋 定雄

About 小嶋 定雄


Applicant, Patent owner：
東レ株式会社

About 東レ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001208929
Publication number (International publication number)：2002093424
Application date： Jul. 10, 2001
Publication date： Mar. 29, 2002
Summary：
【要約】【課題】 従来のものに比べて性能が高く、さらにプロトン交換膜の強度劣化やイオン交換能の低下を抑えた膜-電極接合体の製造方法を提供すること。【解決手段】 少なくとも、プロトン交換膜、電極触媒層、電極基材から構成される膜-電極接合体の接合工程において、予め溶媒を含んだプロトン交換膜および/または電極触媒層を用い、加圧および加熱することにより、プロトン交換膜および/または電極触媒層から溶媒を蒸発せしめることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
少なくとも、プロトン交換膜、電極触媒層、及び電極基材を接合させて膜-電極接合体を製造する方法において、予め溶媒をプロトン交換膜および/または電極触媒層に含ませ、実質上溶媒には浸漬しない状態で、加圧および加熱することを特徴とする膜-電極接合体の製造方法。
IPC (10)：
H01M 4/88 ,  C25B 1/10 ,  C25B 11/02 301 ,  C25B 11/03 ,  C25B 13/08 301 ,  C25B 13/08 302 ,  H01M 4/86 ,  H01M 8/00 ,  H01M 8/02 ,  H01M 8/10
FI (11)：
H01M 4/88 Z ,  H01M 4/88 C ,  C25B 1/10 ,  C25B 11/02 301 ,  C25B 11/03 ,  C25B 13/08 301 ,  C25B 13/08 302 ,  H01M 4/86 B ,  H01M 8/00 Z ,  H01M 8/02 P ,  H01M 8/10
F-Term (39)：
4K011BA04 ,  4K011BA06 ,  4K011BA07 ,  4K011CA04 ,  4K011CA13 ,  4K011DA01 ,  4K021AA01 ,  4K021BA02 ,  4K021DB12 ,  4K021DB18 ,  4K021DB32 ,  4K021DB43 ,  5H018AA06 ,  5H018AS01 ,  5H018BB01 ,  5H018BB03 ,  5H018BB05 ,  5H018CC06 ,  5H018DD01 ,  5H018DD05 ,  5H018EE05 ,  5H018EE11 ,  5H018EE16 ,  5H018EE18 ,  5H018HH08 ,  5H018HH09 ,  5H026AA06 ,  5H026BB01 ,  5H026BB02 ,  5H026BB03 ,  5H026CX01 ,  5H026CX03 ,  5H026CX05 ,  5H026EE05 ,  5H026EE11 ,  5H026EE17 ,  5H026EE19 ,  5H026HH08 ,  5H026HH09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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