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J-GLOBAL ID：200903090002635350
微細パターンの光加工方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992193006
Publication number (International publication number)：1993196949
Application date： Jun. 08, 1984
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：
【要約】【目的】 微細パターンを多数同一平面にマスクにより選択的に形成させること。【構成】 合成石英に密接して形成された微細パターンのマスクを形成し、該マスクにより400nm以下の波長のパルスレーザ光を選択的に透過させ、該パルスレーザ光を基板の一主面に真空中で透過させて、該一主面に前記微細パターンを転写して選択的に除去もしくは変質させる。
Claim (excerpt)：
合成石英に密接して形成された微細パターンのマスクを形成し、該マスクにより400nm以下の波長のパルスレーザ光を選択的に透過させ、該パルスレーザ光を基板の一主面に真空中で透過させて、該一主面に前記微細パターンを転写して選択的に除去もしくは変質させることを特徴とする微細パターンの光加工方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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