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J-GLOBAL ID：200903090012767301
IGBTゲート回路
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992141230
Publication number (International publication number)：1993336732
Application date： Jun. 02, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：
【要約】【構成】 IGBT1のゲート回路2は、IGBTのゲート-エミッタ端子間に接続されて構成される。IGBTのゲート端子にはゲート抵抗部20aが接続される。又ゲート抵抗部と直列にIGBTをオンするゲートオン手段として、ゲートオン用トランジスタ21、ゲートオン用直流電源22が、IGBTをオフするゲートオフ手段として、ゲートオフ用トランジスタ23、ゲートオフ用直流電源24が接続される。ゲート抵抗部はIGBTのオフ時にIGBTのコレクタ-エミッタ間電圧を検出し基準値と比較する比較回路204 を有し、異常値の場合トランジスタ202 のスイッチング動作により、ゲート抵抗値を可変する。【効果】 本発明では、通常時はゲート抵抗値を小さく設定してスイッチングロスを低減し、過電圧時などにはゲート抵抗値を大きく設定することにより、IGBTにかかるオーバーシュート電圧の最大値を抑制して、IGBTを電圧破壊から防止できる。
Claim (excerpt)：
IGBTのゲートオン信号をうけて、前記IGBTをオンするゲートオン手段と、前記IGBTのゲートオフ信号をうけて、前記IGBTをオフするゲートオフ手段と、前記IGBTのゲートと前記ゲートオン手段及び前記ゲートオフ手段との間に接続されたゲート抵抗と、前記IGBTのオフ時に、前記IGBTのコレクタ-エミッタ間電圧を検出し、所定の基準値と比較して、前記IGBTのコレクタ-エミッタ間電圧が異常値として検出された場合に、前記ゲート抵抗を可変するゲート抵抗可変手段とを備えてなることを特徴するIGBTゲート回路。
IPC (5)：
H02M 1/08
, G05F 1/10 304
, H02M 3/00
, H02M 7/537
, H03K 17/56
