Pat

J-GLOBAL ID：200903090014265710

誘電体結晶膜の製造方法

Inventor： 河野 孝史 ,  長尾 圭吾 ,  橋本 和生 ,  木村 隆幸
Applicant, Patent owner： 宇部興産株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994305312
Publication number (International publication number)：1996133735
Application date： Nov. 04, 1994
Publication date： May. 28, 1996
Summary：

【要約】【目的】 a軸配向性の誘電体結晶膜を提供することができ、該誘電体結晶膜を使用したアクュエータは、変位のヒステリシス、シフト、クリープが小さく、またセンサとして使用した場合には感度が良く、不要なモードが発生しないので優れている。【構成】 水熱合成により基板上にPb(ZrxTi1-x)O3(ただし、0≦x≦1である。)からなる誘電体結晶膜を形成する方法において、Pb含有原料化合物が50mmol/l〜500mmol/l、Zr含有原料化合物が20mmol/l〜500mmol/lおよびTi含有原料化合物が0.002mmol/l〜5mmol/lの条件で結晶核を形成する第1工程、およびPb含有原料化合物が50mmol/l〜500mmol/l、Zr含有原料化合物が5mmol/l〜400mmol/lおよびTi含有原料化合物が10mmol/l〜500mmol/lの条件で結晶成長させる第2工程からなる基板に対してa軸を垂直に配向させた誘電体結晶膜の製造方法に関する。

Claim (excerpt)：

水熱合成により基板上にPb(ZrxTi1-x)O3(ただし、0≦x≦1である。)からなる誘電体結晶膜を形成する方法において、Pb含有原料化合物が50mmol/l〜500mmol/l、Zr含有原料化合物が20mmol/l〜500mmol/lおよびTi含有原料化合物が0.002mmol/l〜5mmol/lの条件で結晶核を形成する第1工程、およびPb含有原料化合物が50mmol/l〜500mmol/l、Zr含有原料化合物が5mmol/l〜400mmol/lおよびTi含有原料化合物が10mmol/l〜500mmol/lの条件で結晶成長させる第2工程からなることを特徴とする基板に対してa軸を垂直に配向させた誘電体結晶膜の製造方法。

IPC (5)：

C01G 25/00 ,  C30B 7/10 ,  C30B 29/22 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 41/24