Pat
J-GLOBAL ID：200903090016065115
酸化物超電導体及びその製造方法
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
渡邉 一平 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992000693
Publication number (International publication number)：1993058626
Application date： Jan. 07, 1992
Publication date： Mar. 09, 1993
Summary：
【要約】【目的】 従来の溶融法とほぼ同様にして、高磁場においても優れた臨界電流密度を示す希土類系酸化物超電導体を簡便な操作により製造する。【構成】 操作の簡便な溶融法と同様にして製造されるRE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体(REは、Y、Ce、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luまたは前記元素の2以上の組合わせを表す。)であって、Y、Ce、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuから選ばれる少なくとも2種の元素成分を含有し、REBa2 Cu3 Oy 相中に直径20μm以下のRE2 BaCuO5 相が均一に分散し、均質で優れた超電導特性を有する希土類系酸化物超電導体。
Claim (excerpt)：
RE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体(REは、Y、Ce、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luまたは前記元素2以上の組合わせを表す。)の相構造が、REBa2 Cu3 Oy 相中に直径20μm以下のRE2 BaCuO5 相が分散してなるものであり、且つREがY、Ce、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuから選ばれた少なくとも2種の元素から構成されてなる酸化物超電導体。
IPC (5)：
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00
, C04B 35/00 ZAA
, H01B 12/00 ZAA
, H01B 13/00 565
