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J-GLOBAL ID：200903090025433194

フォトダイオードおよびその製造方法

Inventor： 松井 俊之
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997345162
Publication number (International publication number)：1999177119
Application date： Dec. 15, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】Siフォトダイオードの長波長域の光感度と同時に400nm 以下の短波長域においても高い光感度を有するフォトダイオードとその製造方法を提供する。【解決手段】pn接合を有するフォトダイオードにおいて、前記pn接合を第1導電型のシリコン基板1と第2導電型のIII 族窒化物(Alx Iny Ga1-x-y N 、ただし0≦x ,y ≦1、0≦x +y ≦1)層2bとから形成し、シリコン側の空乏層に発生した光キャリアによる長波長側の光感度と、III 族窒化物層側の空乏層に発生した光キャリアによる短波長側の光感度とを併せもたせる。2aはバッファ層、3、4は各電極である。

Claim (excerpt)：

pn接合を有し、pn接合により形成された空乏層内に発生した光キャリアにより光検出を行うフォトダイオードにおいて、前記pn接合は第1導電型のシリコン基板と第2導電型のIII 族窒化物(Alx Iny Ga1-x-y N 、ただし0≦x ,y ≦1、0≦x +y ≦1)層とからなり、シリコン側の空乏層に発生した光キャリアによる長波長側の光感度と、III 族窒化物層側の空乏層に発生した光キャリアによる短波長側の光感度とを併せもつことを特徴とするフォトダイオード。