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J-GLOBAL ID：200903090035322161

基板処理装置

Inventor： 佐藤 聖信
Applicant, Patent owner： 株式会社日立国際電気
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003110441
Publication number (International publication number)：2004319694
Application date： Apr. 15, 2003
Publication date： Nov. 11, 2004
Summary：

【課題】炉口フランジ内部壁面に付着した残留ガスを効率良く離脱させ、反応炉内の残留ガスを効率良く排出し、ガスパージに要する時間を短縮することを可能にする。【解決手段】基板処理装置は、ウェーハWを処理する基板処理領域を形成する反応管30と、反応管30を支持する炉口フランジ4と、炉口フランジ4に設けられて反応管30内にガスを供給するガス供給管7と、プラズマを生成する電極32aとアース電極32bとを備える。プラズマ生成手段は、電極32aとアース電極32bで構成して、炉口フランジ4の内周壁に設けられる。このプラズマ生成手段は、炉口フランジ4内にプラズマ生成領域26を形成する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板を処理する反応管と、前記反応管を支持する炉口フランジと、前記反応管内にガスを供給するガス供給管と、前記炉口フランジ内に設けられ放電用電極とアース用電極とからなるプラズマ生成手段とを有することを特徴とする基板処理装置。

IPC (4)：

H01L21/31 ,  B01J19/08 ,  C23C16/44 ,  H05H1/46

FI (4)：

H01L21/31 B ,  B01J19/08 H ,  C23C16/44 J ,  H05H1/46 A

F-Term (33)：

4G075AA24 ,  4G075BC04 ,  4G075BD14 ,  4G075CA15 ,  4G075CA25 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075EA06 ,  4G075EB01 ,  4G075EB41 ,  4G075EC21 ,  4G075EE01 ,  4G075EE31 ,  4G075FB02 ,  4G075FB06 ,  4G075FC15 ,  4K030EA11 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030KA04 ,  4K030KA09 ,  4K030KA14 ,  4K030KA30 ,  5F045AA03 ,  5F045AB33 ,  5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045EB06 ,  5F045EB12 ,  5F045EC02 ,  5F045EE14 ,  5F045EH04 ,  5F045EH19