Pat

J-GLOBAL ID：200903090041710572

半導体集積回路装置

Inventor： 堀 能久
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 田澤 博昭 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993232089
Publication number (International publication number)：1995086520
Application date： Sep. 17, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 低電圧動作時の動作マージンを大きく取ることができ、かつスタンバイリークを少なくして消費電力の少ない半導体集積回路装置を得る。【構成】 トランジスタの通常動作時に第一の直流電源8の電源電圧をトランジスタの内部電極及びバックゲート電極に供給し、トランジスタのスタンバイ時に第一の直流電源8の電源電圧をトランジスタの内部電極に供給し、第二の直流電源7の電源電圧をバックゲート電極に供給するように直流電源7,8の電源電圧の供給経路を切り替え装置9により切り替える。

Claim (excerpt)：

半導体集積回路基板内に形成されたトランジスタの内部電極に電源電圧を供給する第一の直流電源と、該第一の直流電源の電源電圧より絶対値の大きい電源電圧を供給する第二の直流電源と、前記トランジスタの通常動作時に前記第一の直流電源の電源電圧を前記トランジスタの内部電極及びバックゲート電極に供給し、前記トランジスタのスタンバイ時に前記第一の直流電源の電源電圧を前記内部電極に供給し前記第二の直流電源の電源電圧を前記バックゲート電極に供給するように前記直流電源の電源電圧の供給経路を切り替える切り替え装置とを備えた半導体集積回路装置。

IPC (2)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/04 M ,  H01L 27/04 F