Pat
J-GLOBAL ID：200903090053484829
半導体測定装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992135448
Publication number (International publication number)：1993333088
Application date： May. 28, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、高周波に於ける高出力電力トランジスタの動作インピーダンス及びこの時の飽和度を簡単に且つ短時間に測定できる半導体測定装置を提供する。【構成】 バイアス回路6に流れる電流を測定する電流測定回路10と、測定した電流からデータを計算する信号処理回路11とを備え、さらにパルス状のバイアス電圧27を発生するバイアス発生回路2と、バイアスを印加するタイミング及びインピーダンスを測定するタイミングを発生するタイミング発生回路8と、トランジスタ4の入出力のインピーダンスを測定するネットワークアナライザ7とを備えている。
Claim (excerpt)：
高周波信号を入力して半導体の入力及び出力インピーダンスを測定する半導体測定装置において、前記半導体に印加するバイアス電圧の発生タイミング及び前記半導体のインピーダンスを測定するタイミングを発生させるタイミング発生回路と、パルス状のバイアス電圧を前記タイミングに従って発生して前記半導体の入力端子に出力するバイアス発生回路と、前記半導体の出力端子に定電圧を印加するバイアス回路と、前記タイミングに従って発生させた高周波信号を前記半導体の入力端子に出力して、反射する高周波信号によって前記半導体の入出力インピーダンスを測定するネットワークアナライザとを備えることを特徴とする半導体測定装置。
IPC (2)：
Return to Previous Page
