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J-GLOBAL ID：200903090057493288

ダイヤモンドライクカーボン薄膜形成装置

Inventor： 梶田 直幸
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996230549
Publication number (International publication number)：1998072289
Application date： Aug. 30, 1996
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ダイヤモンドライクカーボン(DLC)薄膜形成時のチャージアップを抑制して、平坦性のよいDLC薄膜を得る。【解決手段】 真空槽1中でガスイオン源10に対向して、薄膜を形成する基材3を配置し、基材3の近傍に中和機構10を設ける。中和機構10は、第2の熱電子放出手段21、およびこれと基材3との間に設けられた第2の熱電子引出し電極22を備え、両者間には第1のバイアス電源40により電圧が印加され、第2の熱電子引出し電極22が正にバイアスされる。

Claim (excerpt)：

基材にダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成する薄膜形成装置において、内部を所定の真空度に保持して上記基材を収容する真空槽と、上記基材に対向して設けられて解離された炭素と炭素イオン、および解離された水素と水素イオンを発生させるガスイオン源と、上記基材の近傍に設けられて上記基材に電子を供給する中和機構とを備えたことを特徴とするダイヤモンドライクカーボン薄膜形成装置。

IPC (3)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50

FI (3)：

C30B 29/04 L ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50