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J-GLOBAL ID：200903090065060692

半導体装置

Inventor： 山崎 舜平 ,  竹村 保彦 ,  張 宏勇
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999187097
Publication number (International publication number)：2000031498
Application date： Jan. 21, 1992
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 新規な薄膜トランジスタの構成を提供する。【解決手段】 基板の絶縁表面上に、ソース領域及びドレイン領域、ソース領域及びドレイン領域の間のチャネル形成領域、及び、チャネル形成領域とソース領域の間及びチャネル形成領域とドレイン領域の間の不純物添加領域を有する多結晶層と、前記チャネル形成領域上にゲイト絶縁膜を介して設けられた金属でなるゲイト電極と、前記ゲイト電極の側面に設けられた前記不純物添加領域上の金属酸化物層と、前記ゲイト電極上に形成されたバリア層と、を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板の絶縁表面上に、ソース領域及びドレイン領域、ソース領域及びドレイン領域の間のチャネル形成領域、及び、チャネル形成領域とソース領域の間及びチャネル形成領域とドレイン領域の間の不純物添加領域を有する多結晶層と、前記チャネル形成領域上にゲイト絶縁膜を介して設けられた金属でなるゲイト電極と、前記ゲイト電極の側面に設けられた前記不純物添加領域上の金属酸化物層と、前記ゲイト電極上に形成されたバリア層と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 A