Pat
J-GLOBAL ID：200903090073271848

配向性薄膜作製法

Inventor：
湯上 浩雄

About 湯上 浩雄


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団


Agent (1)： 宮本 晴視
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001340218
Publication number (International publication number)：2003147514
Application date： Nov. 06, 2001
Publication date： May. 21, 2003
Summary：
【要約】【課題】 炭化水素ガス改質システム、ナトリウムー硫黄電池における固体電解質として優れたイオン導電性膜の形成法の提供【解決手段】 多孔質のセラミック固体電解質層表面にプロトン導電性膜を形成する結晶性の酸化物のターゲットからパルスレーザアブレーション堆積法(PLD)により膜厚方向に高いイオン導電性を示す電気伝導度に高い違法性を示す配向性薄膜を形成する方法。
Claim (excerpt)：
多孔質のセラミック支持基板表面に、プロトン導電性膜を形成する結晶性の酸化物のターゲットからパルスレーザアブレーション堆積法(PLD)により膜厚方向に高いイオン導電性を示す電気伝導度に高い異方性を示す配向性薄膜を形成する方法。
IPC (4)：
C23C 14/28 ,  C23C 14/08 ,  H01M 8/02 ,  H01M 10/39
FI (4)：
C23C 14/28 ,  C23C 14/08 K ,  H01M 8/02 K ,  H01M 10/39 A
F-Term (23)：
4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BC03 ,  4K029CA01 ,  4K029DB20 ,  4K029FA01 ,  5H026AA06 ,  5H026EE12 ,  5H026HH00 ,  5H026HH08 ,  5H026HH09 ,  5H029AM14 ,  5H029AM15 ,  5H029CJ00 ,  5H029CJ11 ,  5H029CJ24 ,  5H029EJ03 ,  5H029EJ05 ,  5H029HJ00 ,  5H029HJ02 ,  5H029HJ14 ,  5H029HJ15
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM