Pat

J-GLOBAL ID：200903090075926299

イリジウム複合障壁構造およびその形成方法

Inventor： フェンヤン ザンク ,  ジェ-シー マー ,  シェン テン スー
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社 ,  シャープ ラボラトリーズ オブ アメリカ, インコーポレイテッド
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000054745
Publication number (International publication number)：2000260958
Application date： Feb. 29, 2000
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 IC製造において、Irを下地となるSi基板への相互作用なしで使用する。【解決手段】 本発明の導電性障壁層は、集積回路において用いられる高い温度安定性を有する導電性障壁層であって、基板と、基板上に重なりタンタル(Ta)を含む第1障壁膜と、第1障壁膜上に重なるイリジウム-タンタル-酸素(Ir-Ta-O)複合膜とを備え、Ir-Ta-O複合膜は、酸素雰囲気中での高温アニーリングプロセス後も導電性を保つ。

Claim (excerpt)：

集積回路において用いられる、高い温度安定性を有する導電性障壁層であって、基板と、該基板上に重なり、タンタル(Ta)を含む第1障壁膜と、該第1障壁膜上に重なるイリジウム-タンタル-酸素(Ir-Ta-O)複合膜と、を備え、該Ir-Ta-O複合膜は、酸素雰囲気中での高温アニーリングプロセス後も導電性を保つ、導電性障壁層。

IPC (12)：

H01L 27/10 451 ,  C23C 14/08 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (8)：

H01L 27/10 451 ,  C23C 14/08 K ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 電子材料、その製造方法、誘電体キャパシタ、不揮発性メモリおよび半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-112850   Applicant：ソニー株式会社
• 酸化物導電体を用いた多層構造電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-058480   Applicant：シャープ株式会社