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J-GLOBAL ID：200903090081650343

酸感応ポリマおよびホトレジスト構造の作成方法

Inventor： ウィリアム・アール・ブランスヴォルド ,  プレムラサ・ジャガナサン ,  スティーブ・エス・ミウラ ,  メルヴィン・ワレン・モントゴメリー ,  ハーバンス・エス・サシュデブ ,  ラトナム・スーリヤクマラン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993210073
Publication number (International publication number)：1994184311
Application date： Aug. 25, 1993
Publication date： Jul. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 DUV,X線,またはe-ビームリソグラフィにおいて、描画層として用いられるシリコン層有ポジ形レジストの合成方法を提供する。【構成】 本発明のポジ形レジストは、溶解インヒビタおよび感光酸ジェネレータとしての酸感応ペンダント基を有するアリルシルセスキオキサンポリマを含んでいる。

Claim (excerpt)：

【化1】(式中、mは0または1、nは少なくとも3、Rの少なくとも約15%がt-ブチルオキシカルボニル基、残りのRは、水素基またはt-ブチルオキシカルボニル基である)で表される酸感応ポリマ。

IPC (3)：

C08G 77/38 NUF ,  C08L 83/06 LRY ,  G03F 7/075 511