Pat

J-GLOBAL ID：200903090090412412

シリコン結晶化方法とレーザアニール装置

Inventor： 工藤 利雄 ,  山崎 和則
Applicant, Patent owner： 住友重機械工業株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001257628
Publication number (International publication number)：2003068644
Application date： Aug. 28, 2001
Publication date： Mar. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】 アモルファスシリコン膜から大きなグレインを有するシリコン膜を形成することのできるシリコン結晶化方法を提供する。【解決手段】 アモルファス層のシリコン膜を結晶化するシリコン結晶化方法であって、(a)シリコン膜に第1の強度と第1の時間長とを有する第1のパルスレーザ光を照射して、前記シリコン膜を溶融する工程と、(b)溶融後、冷却途中の前記シリコン膜に第1の強度より低い第2の強度と第2の時間長とを有する第2のパルスレーザ光を照射して、発生したシリコン結晶粒を完全には溶融せず、結晶粒を成長させる工程と、(c)照射領域を部分的にずらして前記工程(a)と前記工程(b)とを繰り返し、結晶化領域を拡大する工程とを含み、前記第1および第2のパルスレーザ光は共に複数のレーザダイオード励起固体レーザからの波長400nm〜900nmのレーザ光を加算したものである。

Claim (excerpt)：

アモルファス層のシリコン膜を結晶化するシリコン結晶化方法であって、(a)シリコン膜に第1の強度と第1の時間長とを有する第1のパルスレーザ光を照射して、前記シリコン膜を溶融する工程と、(b)溶融後、冷却途中の前記シリコン膜に第1の強度より低い第2の強度と第2の時間長とを有する第2のパルスレーザ光を照射して、発生したシリコン結晶粒を完全には溶融せず、結晶粒を成長させる工程と、(c)照射領域を部分的にずらして前記工程(a)と前記工程(b)とを繰り返し、結晶化領域を拡大する工程と、を含み、前記第1および第2のパルスレーザ光は共に複数のレーザダイオード励起固体レーザからの波長400nm〜900nmのレーザ光を加算したものであるシリコン結晶化方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (2)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G

F-Term (32)：

5F052AA02 ,  5F052BA01 ,  5F052BA07 ,  5F052BA14 ,  5F052BB02 ,  5F052BB03 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA01 ,  5F052EA15 ,  5F052HA01 ,  5F052JA01 ,  5F052JA09 ,  5F110AA16 ,  5F110CC01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110DD30 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP07 ,  5F110PP23 ,  5F110PP36 ,  5F110PP40