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J-GLOBAL ID：200903090094794379

半導体集積回路装置及びその製造方法

Inventor： 横山 文孝
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992126531
Publication number (International publication number)：1993326856
Application date： May. 20, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 微細で、かつ高性能なバイポーラ・トランジスタを有する半導体集積回路装置を得る。【構成】 MOS型素子とバイポーラ型トランジスタを同一半導体基板上に有する半導体集積回路装置において、半導体基板のバイポーラ型トランジスタ側の表面上に形成されるトレンチ26と、そのトレンチ26の側壁部に少なくとも不純物を導入して形成されるN型エミッタ領域29を設ける。

Claim (excerpt)：

MOS型素子とバイポーラ型素子を同一半導体基板上に有する半導体集積回路装置において、(a)半導体基板のバイポーラ型トランジスタ側の表面上に形成されるトレンチと、(b)該トレンチの側壁部に少なくとも不純物を導入して形成されるエミッタを具備することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3)：

H01L 27/06 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (2)：

H01L 27/06 321 B ,  H01L 29/72