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J-GLOBAL ID：200903090110526550

パターニング方法

Inventor： 内田 寛人 ,  米澤 政 ,  曽山 信幸 ,  厚木 勉 ,  小木 勝実
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 重野 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994157215
Publication number (International publication number)：1996023152
Application date： Jul. 08, 1994
Publication date： Jan. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】 有機レジストを用いることなく金属酸化物よりなるマスクパターンを形成してパターニングプロセスを簡易化する。【構成】 基板1上に第1の膜2を形成した後(或いは形成することなく直接に)、感光性の第2の膜3を形成し、第2の膜3を所定のマスクパターンとした後、ドライエッチング処理して第1の膜2(又は基板2)をパターニングする。加水分解性金属化合物と、活性線の照射により水を遊離する感光剤とを含有する組成物を塗布して第2の膜3を形成し、この第2の膜3を活性線で画像形成露光し、溶媒で現像して未露光部を除去した後、熱処理して露光部の膜を金属酸化物に変換させてマスクパターンを形成する。【効果】 ゾルーゲル法を利用して、レジストを使用せずにマスクパターンを形成することができるので、製造工程の短縮化と高能率化が図れる。

Claim (excerpt)：

基板上に第1の膜を形成した後、感光性の第2の膜を形成し、該第2の膜を所定のマスクパターンとした後、ドライエッチング処理することにより該第1の膜を該マスクパターンに従ってエッチングし、該第1の膜に由来する目的パターンを該基板上に残留させるようにしたパターニング方法において、前記第2の膜を、少なくとも加水分解性金属化合物と、活性線の照射により水を遊離する感光剤とを含有する組成物を前記第1の膜上に塗布することにより形成し、該第2の膜をパターン化するに際しては、該第2の膜を活性線で画像形成露光し、溶媒で現像して未露光部を除去した後、熱処理して露光部の膜を金属酸化物に変換させ、これにより金属酸化物よりなる前記マスクパターンを形成することを特徴とするパターニング方法。

IPC (4)：

H05K 3/06 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H05K 3/28

FI (2)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/302 F