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J-GLOBAL ID：200903090113530078
マルチチップモジュールおよびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997021227
Publication number (International publication number)：1998223832
Application date： Feb. 04, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 従来のフェイスアップ方式によるマルチチップモジュールにおいて、ベアー半導体チップの高さ調整加工の困難さと、ベース基板に絶縁性材料を用いていることによる放熱性能の低下と、ベアー半導体チップと周囲フィルムまたはパッケージとの間の間隙において配線不良が生じ易い等の課題を解決する。【解決手段】 金属や半導体から成る平面状のベース基板3上に金属性のアース導体層2を設け、その上にベアー半導体チップ6および金属性の導電ブロック7を搭載し、ベアー半導体チップ6の電極4上には金属性のバンプ5を設け、ベアー半導体チップ6および金属性のバンプ5および導電ブロック7を埋め込むように樹脂状の第1絶縁膜8-1で覆い、第1絶縁膜8-1と金属性のバンプ5と導電ブロック7とを所定の同じ高さに平坦化加工し、その上に第1配線パターン9-1を形成する構成とする。
Claim (excerpt)：
金属性のアース導体層を設けた金属や半導体から成る平面状のベース基板と、その上に搭載する電極上に金属性のバンプを持つ複数の半導体素子またはICチップで成るベアーチップ部品と、前記基板上に搭載する少なくとも1つ以上の金属性の導電ブロックと、前記ベアーチップ部品および前記ブロックを埋め込むように覆った樹脂状の第1絶縁膜とから成るマルチチップモジュールであって、前記バンプが少なくとも前記それぞれのベアーチップ部品の高さむら以上の高さで成り、前記絶縁膜と前記バンプと前記ブロックとが所定の同じ高さに平坦化加工され、その上に金属層によって第1配線パターンが形成され、前記バンプおよび前記ブロックと前記パターンの一部とが電気的に接続される構造で成ることを特徴とするマルチチップモジュール。
IPC (3)：
H01L 23/538
, H01L 25/04
, H01L 25/18
H01L 23/52 A
, H01L 25/04 Z
