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J-GLOBAL ID：200903090121327893
ニトリドレニウムフタロシアニン薄膜、その作成方法及びそれを用いた有機デバイス
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995060364
Publication number (International publication number)：1996260146
Application date： Mar. 20, 1995
Publication date： Oct. 08, 1996
Summary：
【要約】【構成】ニトリドレニウムフタロシアニン蒸着膜を適当な有機溶剤の蒸気で暴露処理することにより、フタロシアニン分子が一次元にスタックした構造をとる薄膜を作製でき、更に基板としてアルカリハライドを用いることにより、基板に対して垂直に一次元的にスタックした構造の薄膜を容易に作製できる。【効果】膜厚方向と膜平面に平行な方向の導電性が桁違いに異なる、即ち導電性に異方性を持つ薄膜を容易に提供できる。
Claim (excerpt)：
ニトリドレニウムフタロシアニン分子が、中心金属のレニウム原子と窒素原子との結合方向を揃えて、一方向に一次元的に積み重なった結晶構造をとり、そのスタック軸を膜の面内方向よりも厚さ方向により多く並べていることを特徴としたニトリドレニウムフタロシアニン薄膜。
IPC (4)：
C23C 14/58
, C23C 14/12
, H01B 5/16
, H01L 51/00
C23C 14/58 Z
, C23C 14/12
, H01B 5/16
, H01L 29/28
