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J-GLOBAL ID：200903090139076430

容量素子およびその製造方法

Inventor： 三河 巧 ,  十代 勇治
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 松田 正道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997278688
Publication number (International publication number)：1999121693
Application date： Oct. 13, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】集積回路等に内蔵されている容量素子において、配線層を構成するチタンが柱状結晶の白金膜を通過して容量絶縁膜と反応し、容量素子の性能を劣化させるという課題。【解決手段】強誘電体薄膜よりなる容量絶縁膜23の上面に形成される上電極を第1の上電極24と、その上面に形成された第1の絶縁膜25の第1のコンタクトホール27を介して第1の上電極24と電気的に接続された第2の上電極26とより構成することにより、配線層30を構成するチタンが直接白金等よりなる第1の上電極24と接触することがないため、容量絶縁膜23中にチタンが拡散することを防止できる。

Claim (excerpt)：

基板と、その基板上に形成された下電極と、その下電極の表面に形成された高誘電率を有する強誘電体薄膜よりなる容量絶縁膜と、その容量絶縁膜の表面に前記下電極と接触することなく形成された第1の上電極と、その第1の上電極の上面に形成された第1の絶縁膜と、その第1の絶縁膜の上面に形成され、かつ前記第1の絶縁膜の一部に設けられた第1のコンタクトホールを介して前記第1の上電極と電気的に接続されている第2の上電極と、前記下電極、前記容量絶縁膜、前記第1、第2の上電極、および前記第1の絶縁膜を被覆し、かつ前記第2の上電極上の、前記第1のコンタクトホールの上方以外の位置に第2のコンタクトホールを有し、又下電極上に第3のコンタクトホールを有する第2の絶縁膜と、前記第2のコンタクトホールを介して前記第2の上電極と電気的に接続するように形成された第1配線層と、前記第3のコンタクトホールを介して前記下電極と電気的に接続するように形成された第2配線層と、を備えたことを特徴とする容量素子。

IPC (8)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371