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J-GLOBAL ID：200903090148607170
Al合金薄膜及びその製造方法並びにAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲット
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
金丸 章一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993083250
Publication number (International publication number)：1994299354
Application date： Apr. 09, 1993
Publication date： Oct. 25, 1994
Summary：
【要約】【構成】 Alに固溶限以上の希土類元素又は/及び遷移金属元素を非平衡的に固溶させたAl合金薄膜をスパッタリング等の物理蒸着法により基板上に形成させた後、該Al合金薄膜中の固溶元素を熱処理により金属間化合物として析出させることを特徴とするAl合金薄膜の製造方法、この薄膜形成用の溶製Al合金スパッタリングターゲット、及び、この製造方法によって製造されるAl合金薄膜。【効果】 耐熱性に優れてヒロック、ストレスマイグレーション及びエレクトロマイグレーションが生じ難く、又、熱処理後に比抵抗:15μΩcm以下となるAl合金薄膜であって、液晶ディスプレイ及び半導体装置用の配線膜・電極膜、液晶ディスプレイ及び固体撮像素子用の遮光膜、機能電子部品用の配線膜として好適に使用し得るAl合金薄膜が得られるようになる。
Claim (excerpt)：
Alに固溶限以上の希土類元素又は/及び遷移金属元素を非平衡的に固溶させたAl合金薄膜をスパッタリング等の物理蒸着法により基板上に形成させた後、該Al合金薄膜中の固溶元素を熱処理により金属間化合物として析出させ、電気抵抗値:15μΩcm以下のAl合金薄膜を得ることを特徴とするAl合金薄膜の製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
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