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J-GLOBAL ID：200903090151661070
半導体装置の配線形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小林 英一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992225927
Publication number (International publication number)：1994077225
Application date： Aug. 25, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 半導体装置の配線形成方法を提供する。【構成】 半導体装置の製造段階でウェーハ1上に配線される電流の流れる本配線2の両側部に電流を流さないダミー配線5を設けることにより、配線不良の発生を抑制することを可能とする。
Claim (excerpt)：
半導体装置の製造段階でウェーハ上に配線を形成する方法であって、電流の流れる本配線の両側部に電流を流さないダミー配線を設けたことを特徴とする半導体装置の配線形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/3205
, H01L 27/04
