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J-GLOBAL ID:200903090164159374

プラズマアシストガス処理用反応器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中村 稔 (外9名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2000599989
Publication number (International publication number):2002537510
Application date: Feb. 10, 2000
Publication date: Nov. 05, 2002
Summary:
【要約】ガス状媒体のプラズマアシスト処理用の反応器であって反応器チャンバー(200)を含み該チャンバーは活性物質のガス透過性床(100)を含みまた該活性物質の床を流動するガス状媒体内にプラズマを確立するのに十分な電位を該活性物質の床を横切る電位を印加する手段(209)および該ガス状媒体を拘束して該活性物質の床を流動させる手段(201202203)をも含み該活性物質の床はビーズの規則的なアレイを含むアセンブリからなる誘電体物質製ビーズ(103208)のマトリックス(207)を含み該アレイ各々において隣接するビーズは高電位入力端子またはアース点(105'105'')に接続されている
Claim (excerpt):
ガス状媒体のプラズマアシスト処理用反応器であって活性材料のガス透過性床(100)を含む反応器チャンバー(200)ガス状媒体を拘束して該活性材料の床を流通させる手段(201202203)を含み該活性材料の床は誘電体材料製部品(103;208)のマトリックスアレイ(207)を含み該マトリックスアレイは誘電性材料の第二部品(103;208)と共に散在する誘電性材料の第一部品(103;208)を含み第一給電端子と電気的に接続した1以上の第一の電導性部材(105')は該第一部品の少なくとも一つと電気的接触状態にあり第二の給電端子と電気的に接続された1以上の導電性部材(105'')は該第二部品の全てまたはその複数と接触状態にあることを特徴とする上記反応器
IPC (10):
F01N 3/08 ,  B01D 53/34 ZAB ,  B01D 53/56 ,  B01D 53/74 ,  B01J 19/08 ,  F01N 3/02 301 ,  F01N 3/02 321 ,  F01N 3/24 ,  F01N 3/28 301 ,  H05H 1/24
FI (9):
F01N 3/08 C ,  B01J 19/08 E ,  F01N 3/02 301 F ,  F01N 3/02 321 B ,  F01N 3/24 A ,  F01N 3/28 301 C ,  H05H 1/24 ,  B01D 53/34 129 C ,  B01D 53/34 ZAB
F-Term (42):
3G090AA06 ,  3G090BA01 ,  3G090EA02 ,  3G091AA18 ,  3G091AA28 ,  3G091AB04 ,  3G091AB14 ,  3G091BA00 ,  3G091BA14 ,  3G091GA01 ,  3G091GA03 ,  3G091GA04 ,  3G091GA05 ,  3G091GA06 ,  3G091GB01W ,  3G091GB02W ,  3G091GB03W ,  3G091GB04W ,  3G091GB09W ,  3G091GB10W ,  3G091HA07 ,  4D002AA12 ,  4D002AC10 ,  4D002BA09 ,  4D002CA20 ,  4D002EA02 ,  4G075AA37 ,  4G075BA06 ,  4G075CA47 ,  4G075CA54 ,  4G075DA02 ,  4G075EB01 ,  4G075EC21 ,  4G075EE02 ,  4G075EE05 ,  4G075EE12 ,  4G075EE33 ,  4G075EE40 ,  4G075FA12 ,  4G075FB02 ,  4G075FB04 ,  4G075FC15

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