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J-GLOBAL ID：200903090164567766

インドール誘導体三量体酸化体の製造方法およびインドール誘導体三量体酸化体とその積層構造体

Inventor： 前田 晋一 ,  齋藤 隆司 ,  齋藤 嘉一
Applicant, Patent owner： 三菱レイヨン株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002358006
Publication number (International publication number)：2004002286
Application date： Dec. 10, 2002
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【課題】インドール誘導体三量体酸化体を高収率、高純度で大量合成することができる工業的な製造方法及びその方法により得られた導電性を有する酸化還元電位、酸化還元容量、サイクル特性が良好な新規なインドール誘導体三量体酸化体を提供。【解決手段】インドール誘導体三量体(A)を、水、有機溶媒などの溶媒中で、酸化剤により酸化することを特徴とするインドール誘導体三量体酸化体の製造方法およびそれにより得られた新規インドール誘導体三量体酸化体、積層構造を持つインドール誘導体三量体酸化体。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)

IPC (2)：

C07D487/14 ,  C09K3/16

FI (2)：

C07D487/14 ,  C09K3/16 105Z

F-Term (9)：

4C050AA08 ,  4C050BB04 ,  4C050CC04 ,  4C050DD01 ,  4C050EE03 ,  4C050FF01 ,  4C050GG01 ,  4C050HH01 ,  4C050KC01

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• J. Chem. Soc., Perkin Trans. 2, 2000, pp.2337-2342