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J-GLOBAL ID：200903090165558175

SOI基板の製造方法

Inventor： 塚本 弘範
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山口 邦夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992178143
Publication number (International publication number)：1994020895
Application date： Jul. 06, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】SOI基板を構成するシリコン基板と光透過性絶縁板間に入り込んだガスを膨張させないで両基板間の密着性を向上させ、しかも高能率のSOI基板の製造方法を提供する。【構成】シリコン基板11上に光透過性絶縁基板15を重ね載置する工程、前記光透過性絶縁基板上からレーザ照射する工程、とからなる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に光透過性絶縁基板を重ね載置する工程、前記光透過性絶縁基板上からレーザ照射する工程、とからなることを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12