Pat

J-GLOBAL ID：200903090184432220

半導体レーザ素子

Inventor： 岩井 則広 ,  粕川 秋彦
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993132817
Publication number (International publication number)：1994326402
Application date： May. 10, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 所望の反射率の共振器ミラー有するファブリ・ペロー型半導体レーザ素子を提供する。【構成】 両端に共振器ミラー4を有するファブリ・ペロー型半導体レーザ素子において、各共振器ミラー4を、バンドギャップ波長が発振波長よりも短く、屈折率が相互に異なり、厚さが発振波長の1/4n(n:屈折率)である2種類の半導体層を交互に積層し、所望の半導体層の層数を有する半導体多層膜により構成する。

Claim (excerpt)：

両端に共振器ミラーを有するファブリ・ペロー型半導体レーザ素子において、各共振器ミラーは、バンドギャップ波長が発振波長よりも短く、屈折率が相互に異なり、厚さが発振波長の1/4n(n:屈折率)である2種類の半導体層を交互に積層し、所望の半導体層の層数を有する半導体多層膜により構成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。